Полевой транзистор TRANSCOM — TC1606
Полевой транзистор компании TRANSCOM — TC1606
TC1606 — псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов (pHEMT). Устройство выполнено с применением технологии сквозных отверстий. Выводы устройства покрыты золотом, что позволяет применять при монтаже методы термокомпрессионной сварки и ультразвуковой сварки с подогревом. Оборотная сторона устройства покрыта золотом, что также делает возможным использование метода эвтетического AuSu-припоя. Данный транзистор найдёт применение в высокопроизводительных усилителях мощности, предназначенных для военных и коммерческих нужд. Транзистор работает в частотном диапазоне до 20 ГГц.
Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: 8 800 301-96-04 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени) и e‑mail: info@fregat.ru.
Полевой транзистор TRANSCOM — TC1606 - уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.
Получить информацию или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
| Частотный диапазон (ГГц) | 0.1-15 |
| Коэффициент усиления (дБ) | 12 (*) |
| Выходная мощность P1dB (дБм) | 33 (*) |
| IP3 (дБм) | 43 (**) |
| КПД (%) | 43% при 6 ГГЦ |
| Напряжение отсечки (В) | -1.7 (***) |
| Напряжение пробоя (В) | 22 |
| Ток насыщения сток-исток (мА) | 1200; Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Крутизна (мС) | 850; Uси = 2 В, Uзи = 0 В |
| Тепловое сопротивление (°C/Вт) | 6 |
| Исполнение | Кристалл |
| * | при 6 ГГЦ, Uси = 8 В, Ic = 500 мА |
| ** | при 6 ГГЦ, Uси = 8 В, Ic = 500 мА, Pвых.1нес. = 20 дБм |
| *** | Варьируется в зависимости от модели |
Доставка по России
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и пост-гарантийное обслуживание без привлечения производителя
