IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK

Infineon Technologies

Цена по запросу

Заказать

Задать вопрос

Силовой N-канальный MOSFET транзистор IPD122N10N3GATMA1 из серии OPTIMOS предназначен для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и силовых ключевых схем.

Ключевые преимущества: максимальное напряжение сток-исток 100В, низкое сопротивление открытого канала 12.2мОм для минимизации потерь мощности. Компактный корпус TO-252-3 (DPAK) обеспечивает эффективный поверхностный монтаж в ограниченном пространстве печатных плат.

Уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!

Datasheet

Корпус	TO-252-3
Вес брутто	0.55 г.
Тип монтажа	Surface Mount
Особенности	силовой
Тип транзистора	N-канальный
Напряжение сток-исток макс.	100В
Сопротивление открытого канала	12.2мОм