IPD60R1K4C6ATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Тип монтажа Surface Mount
Ток стока макс. 3.2А
Тип транзистора N-канальный
Цена по запросу

MOSFET транзистор IPD60R1K4C6ATMA1 предназначен для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и силовых ключевых схем. Идеально подходит для применений, требующих надежной коммутации средних токов при высоких напряжениях.

Ключевые преимущества: высокое напряжение сток-исток 650В обеспечивает работу в сетевых приложениях, рабочий ток до 3.2А позволяет управлять средними нагрузками. Корпус DPAK с поверхностным монтажом гарантирует компактность и эффективный теплоотвод.

Тип монтажа Surface Mount
Ток стока макс. 3.2А
Тип транзистора N-канальный
Напряжение сток-исток макс. 650В

Предлагаем IPD60R1K4C6ATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!