IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
| Корпус | DPAK |
| Вес брутто | 0.5 г. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
N-канальный MOSFET транзистор IPD80R1K0CEATMA1 предназначен для высоковольтных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и силовых схем коммутации в промышленной электронике.
Ключевые особенности: высокое напряжение сток-исток до 800В обеспечивает работу в высоковольтных цепях, номинальный ток стока 5,7А подходит для средненагруженных применений. Корпус DPAK с поверхностным монтажом упрощает автоматизированную сборку и обеспечивает компактное размещение на печатной плате.
| Корпус | DPAK |
| Вес брутто | 0.5 г. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ток стока макс. | 5.7A |
| Тип транзистора | N-канал |
| Напряжение сток-исток макс. | 800В |
Предлагаем IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
