IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Infineon Technologies

Цена по запросу

Заказать

Задать вопрос

N-канальный MOSFET транзистор IPD80R1K0CEATMA1 предназначен для высоковольтных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и силовых схем коммутации в промышленной электронике.

Ключевые особенности: высокое напряжение сток-исток до 800В обеспечивает работу в высоковольтных цепях, номинальный ток стока 5,7А подходит для средненагруженных применений. Корпус DPAK с поверхностным монтажом упрощает автоматизированную сборку и обеспечивает компактное размещение на печатной плате.

Уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!

Datasheet

Корпус	DPAK
Вес брутто	0.5 г.
Тип монтажа	Surface Mount
Ток стока макс.	5.7A
Тип транзистора	N-канал
Напряжение сток-исток макс.	800В