IPP80R1K4P7XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Корпус TO-220
Вес брутто 2.85 г.
Тип монтажа Through Hole
Цена по запросу

N-канальный MOSFET транзистор IPP80R1K4P7XKSA1 предназначен для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и силовых коммутационных схем. Корпус TO-220 обеспечивает эффективный теплоотвод в высоконагруженных применениях.

Ключевые параметры: высокое напряжение сток-исток 800В, ток стока до 4A, низкое сопротивление открытого канала 1,4 Ом. Малый заряд затвора 10нКл гарантирует быстрое переключение и минимальные потери при коммутации в высокочастотных схемах.

Datasheet
Корпус TO-220
Вес брутто 2.85 г.
Тип монтажа Through Hole
Заряд затвора 10нКл
Мощность макс. 32Вт
Ток стока макс. 4A
Входная емкость 250пФ
Тип транзистора N-канал
Напряжение сток-исток макс. 800В
Сопротивление открытого канала 1.4 Ом
Пороговое напряжение включения макс. ±20В

Предлагаем IPP80R1K4P7XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!