IPT007N06NATMA1, Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF
| Вес брутто | 0.93 г. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Особенности | Logic Level Gate |
N-канальный MOSFET транзистор для высокомощных импульсных применений: DC-DC преобразователей, инверторов, моторных драйверов и систем управления питанием. Корпус 8HSOF обеспечивает эффективный теплоотвод при работе с большими токами.
Ключевые преимущества: максимальный ток стока 300А, низкое сопротивление открытого канала 0.75 мОм, напряжение сток-исток до 60В. Logic Level Gate позволяет управление низковольтными сигналами. Максимальная мощность 375Вт делает транзистор идеальным для мощных коммутационных схем.
| Вес брутто | 0.93 г. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Заряд затвора | 216нКл @ 10В |
| Мощность макс. | 375Вт |
| Ток стока макс. | 300A(Tc) |
| Входная емкость | 16000пФ @ 30В |
| Тип транзистора | N-канал |
| Напряжение сток-исток макс. | 60В |
| Сопротивление открытого канала | 0.75 мОм @ 150А, 10В |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3.3В @ 280 µA |
Предлагаем IPT007N06NATMA1, Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
