![IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] Транзисторы MOSFET](/upload/iblock/7f9/md305ed5s7t8h2yx8l72fgiw4rbv5w65/main_image_4183_1.jpg "IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] Транзисторы MOSFET")
IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Мощный N-канальный HEXFET транзистор IRF2805STRLPBF предназначен для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и силовых коммутационных схем. Корпус D2PAK обеспечивает эффективный теплоотвод при поверхностном монтаже.
Ключевые преимущества: максимальный ток стока 135А, низкое сопротивление открытого канала 4.7 мОм, рабочее напряжение до 55В и рассеиваемая мощность 200Вт. Заряд затвора 230нКл гарантирует быстрое переключение в высокочастотных приложениях.
Уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 1.7 г. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Особенности | Standard |
| Заряд затвора | 230нКл @ 10В |
| Мощность макс. | 200Вт |
| Ток стока макс. | 135A(Tc) |
| Входная емкость | 5110пФ @ 25В |
| Тип транзистора | N-канал |
| Напряжение сток-исток макс. | 55В |
| Сопротивление открытого канала | 4.7 мОм @ 104А, 10В |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В @ 250 µA |
Доставка по России
Подберем оборудование под ваши задачи
Гарантийное и пост-гарантийное обслуживание без привлечения производителя
