IRF5801TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.6А 2Вт

Корпус TSOP-6
Вес брутто 0.07 г.
Тип монтажа Surface Mount
Цена по запросу

Полевой MOSFET-транзистор IRF5801TRPBF предназначен для коммутации и управления в низковольтных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах защиты и усилителях малой мощности.

Ключевые параметры: N-канальная структура с максимальным напряжением сток-исток 200В и током стока до 600мА. Низкое сопротивление открытого канала 2.2 Ом обеспечивает минимальные потери мощности при коммутации.

Компактный корпус TSOP-6 для поверхностного монтажа и небольшой заряд затвора 3.9нКл гарантируют быстродействие и экономию места на печатной плате в современных электронных устройствах.

Datasheet
Корпус TSOP-6
Вес брутто 0.07 г.
Тип монтажа Surface Mount
Заряд затвора 3.9нКл
Мощность макс. 2Вт
Ток стока макс. 600мА
Входная емкость 88пФ
Тип транзистора N-канал
Напряжение сток-исток макс. 200В
Сопротивление открытого канала 2.2 Ом
Пороговое напряжение включения макс. 5.5В

Предлагаем IRF5801TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.6А 2Вт на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!