IRF640NSTRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK

Корпус D2Pak (TO-263)
Вес брутто 1.35 г.
Тип монтажа Surface Mount
Цена по запросу

N-канальный MOSFET транзистор IRF640NSTRRPBF предназначен для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, драйверов двигателей и коммутационных схем средней мощности.

Ключевые характеристики: максимальное напряжение сток-исток 200В, ток стока до 18А, рассеиваемая мощность 150Вт. Низкое сопротивление открытого канала 150 мОм обеспечивает минимальные потери при коммутации.

Корпус D2PAK (TO-263) с поверхностным монтажом оптимален для автоматизированной сборки. Заряд затвора 67нКл гарантирует быстрое переключение в высокочастотных применениях.

Корпус D2Pak (TO-263)
Вес брутто 1.35 г.
Тип монтажа Surface Mount
Особенности Standard
Заряд затвора 67нКл @ 10В
Мощность макс. 150Вт
Ток стока макс. 18A(Tc)
Входная емкость 1160пФ @ 25В
Тип транзистора N-канал
Напряжение сток-исток макс. 200В
Сопротивление открытого канала 150 мОм @ 11А, 10В
Пороговое напряжение включения макс. 4В @ 250 µA

Предлагаем IRF640NSTRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!