IRFB3306PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
| Корпус | TO220AB |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Тип монтажа | Through Hole |
MOSFET транзистор IRFB3306PBF предназначен для силовых применений: импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и мощных коммутационных схем.
N-канальный транзистор в корпусе TO220AB обеспечивает максимальный ток стока 120A при напряжении сток-исток до 60В. Низкое сопротивление открытого канала 4.2 мОм гарантирует минимальные потери мощности до 230Вт.
Особенность Logic Level Gate позволяет управление логическими уровнями напряжения, что упрощает сопряжение с цифровыми схемами.
| Корпус | TO220AB |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Заряд затвора | 120нКл |
| Мощность макс. | 230Вт |
| Ток стока макс. | 120A |
| Входная емкость | 4520пФ |
| Тип транзистора | N-канал |
| Напряжение сток-исток макс. | 60В |
| Сопротивление открытого канала | 4.2 мОм |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!