IRFB3306PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Корпус TO220AB
Вес брутто 2.72 г.
Тип монтажа Through Hole
Цена по запросу

MOSFET транзистор IRFB3306PBF предназначен для силовых применений: импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и мощных коммутационных схем.

N-канальный транзистор в корпусе TO220AB обеспечивает максимальный ток стока 120A при напряжении сток-исток до 60В. Низкое сопротивление открытого канала 4.2 мОм гарантирует минимальные потери мощности до 230Вт.

Особенность Logic Level Gate позволяет управление логическими уровнями напряжения, что упрощает сопряжение с цифровыми схемами.

Datasheet
Корпус TO220AB
Вес брутто 2.72 г.
Тип монтажа Through Hole
Особенности Logic Level Gate
Заряд затвора 120нКл
Мощность макс. 230Вт
Ток стока макс. 120A
Входная емкость 4520пФ
Тип транзистора N-канал
Напряжение сток-исток макс. 60В
Сопротивление открытого канала 4.2 мОм
Пороговое напряжение включения макс.

Предлагаем IRFB3306PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!