IRFH8330TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A 5X6 PQFN
N-канальный MOSFET транзистор в компактном корпусе PQFN предназначен для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и силовых ключевых схем с напряжением до 30В.
Ключевые преимущества: низкое сопротивление канала 6.6 мОм, высокий ток нагрузки до 56А, логический уровень управления затвором. Малый заряд затвора 20 нКл обеспечивает быстрое переключение и минимальные потери мощности в высокочастотных приложениях.
Уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
Тип монтажа | Surface Mount |
Особенности | Logic Level Gate |
Заряд затвора | 20нКл @ 10В |
Мощность макс. | 3.3Вт |
Ток стока макс. | 17A(Ta),56A(Tc) |
Входная емкость | 1450пФ @ 25В |
Тип транзистора | N-канал |
Напряжение сток-исток макс. | 30В |
Сопротивление открытого канала | 6.6 мОм @ 20А, 10В |
Пороговое напряжение включения макс. | 2.35В @ 25 µA |