Малошумящий усилитель UMS CHA2595-QDG МШУ — Малошумящие усилители

Малошумящий усилитель UMS CHA2595-QDG

Артикул: CHA2595-QDG

UMS

Цена по запросу

Заказать

Задать вопрос

Чип произведён с применением запатентованной технологии UMS, в основе которой лежит псевдоморфный транзистор с повышенной электронной подвижностью (pHEMT), выполненный на галлий-арсенидной подложке (GaAs) с размером затвора 0,10 микрометра (100 нанометров). Данный технологический процесс сертифицирован для использования в космической отрасли.

Чип произведён с применением запатентованной технологии UMS, в основе которой лежит псевдоморфный транзистор с повышенной электронной подвижностью (pHEMT), выполненный на галлий-арсенидной подложке (GaAs) с размером затвора 0,10 микрометра (100 нанометров). Данный технологический процесс сертифицирован для использования в космической отрасли.

Преимущества:

Сверхширокая полоса пропускания, охватывающая четыре телекоммуникационных диапазона 5G
Исключительно низкий коэффициент шума для обеспечения высокой чувствительности приемника
Низкое энергопотребление для применения в портативных и компактных системах
Компактный низкопрофильный корпус для высокоплотной компоновки
Регулируемое усиление для адаптации к различным условиям работы

Конструктивные особенности технологии:

Сквозные переходные отверстия в подложке (via holes)
Воздушные мостики (air bridges)
Электронно-лучевая литография для формирования затвора

Уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.

Получить коммерческое предложение или оформить заказ:

8 800 301-96-04 info@fregat.ru

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!

Datasheet

Диапазон рабочих частот	27.5-43.5 ГГц
Коэффициент усиления в линейном режиме	19.5 дБ
Коэффициент шума	2 дБ
P1dB	11 дБм
OIP3	более 20 дБм
Напряжение питания	3 В
Ток потребления	61 мА
Размеры кристалла	2350x1150 мкм