| Пакет | 32-pin VQFN (RHB) |
| Вариант | S (стандартный, не B-grade) |
| Тип входа | Однополярные (single-ended) |
12-разрядный 16-канальный АЦП архитектуры SAR с микромощным потреблением и последовательным SPI-интерфейсом.
Устройство содержит встроенный sample-and-hold с ёмкостной архитектурой и программируемой логикой выбора каналов.
Поддерживает два программируемых уровня срабатывания тревоги на каждый канал.
Диапазон питания аналоговой части: 2,7–5,25 В, цифровой части: 1,7–5,25 В.
Максимальная частота дискретизации 1 МГц при 20 МГц SCLK.
Типовое потребление 14,5 мВт при питании 5 В и 1 МГц.
Широкий диапазон входных сигналов с полосой пропускания 47 МГц на уровне –3 дБ.
Подходит для систем сбора данных, контроля параметров, приборостроения.
| Пакет | 32-pin VQFN (RHB) |
| Вариант | S (стандартный, не B-grade) |
| Тип входа | Однополярные (single-ended) |
| Интерфейс | SPI (последовательный) |
| Шаг выводов | 0,5 мм |
| ESD (Human Body Model) | ±2000 В |
| Форма логики | CMOS |
| Конфигурация | MUX-S/H-ADC |
| Высота пакета | 0,9 мм (макс 1,0 мм) |
| Режимы работы | Normal, Power-down |
| Формат данных | MSB first |
| ESD (Charged Device Model) | ±500 В |
| GPIO выводы (в VQFN) | 1 вывод GPIO |
| Количество АЦП | 1 |
| GPIO выводы (в TSSOP) | 4 программируемых GPIO |
| Архитектура АЦП | SAR (Successive Approximation Register) |
| Входная ёмкость | 15 пФ |
| Материал пакета | Керамический QFN с открытой тепловой площадкой |
| Размер кристалла | 5 × 5 мм |
| Задержка апертуры | 5 нс |
| Входной ток утечки | 61 нА @ 125°C |
| Кремневые коды (SiPM) | Не применимо |
| Количество каналов | 16 каналов (мультиплексированных) |
| Базовая часть номера | ADS7953 |
| Режимы выбора канала | Автоматический и ручной |
| Логический уровень VIH | 0,7 × (+VBD) |
| SNR (Signal-to-Noise Ratio) @ 100 кГц | 71,7 дБ типич. |
| Время захвата (Acquisition Time) | 325 нс |
| Максимальная частота SCLK | 20 МГц |
| Ошибка смещения (Offset Error) | ±1,1 LSB типич. (макс ±3,5 LSB) |
| Время включения (Power-up time) | ≤1 мкс |
| Время реакции на ступень | 150 нс |
| Нулевая задержка (Zero Latency) | Да |
| SFDR (Spurious Free Dynamic Range) @ 100 кГц | 84 дБ |
| Полоса пропускания (–3 дБ) | 47 МГц |
| Полный номер (минимальный) | ADS7953SRHBT |
| SINAD (Signal-to-Noise + Distortion) @ 100 кГц | 71,3 дБ типич. |
| Абсолютный входной диапазон | –0,2 до VREF + 0,2 В (Range 1), –0,2 до 2×VREF + 0,2 В (Range 2) |
| Логический уровень VIL @ +VBD = 3 В | 0,4 В |
| Логический уровень VIL @ +VBD = 5 В | 0,8 В |
| INL (Интегральная нелинейность) | ±0,75 LSB типич. (макс ±1,5 LSB) |
| Полноразмерный диапазон (Range 1) | 0 до VREF |
| Полноразмерный диапазон (Range 2) | 0 до 2×VREF |
| Помеха между каналами (память) | –85 дБ |
| Время преобразования @ 20 МГц SCLK | 800 нс |
| Тепловое сопротивление (VQFN) RθJA | 40,6 °C/W |
| Тепловое сопротивление (VQFN) RθJB | 13,1 °C/W |
| Диапазон низкого порога тревоги | 0–4092 LSB |
| Помеха между каналами (изоляция) | –95 дБ |
| Логический уровень VOL @ Isink = 200 мкА | 0,4 В |
| Температурный диапазон хранения | –65°C до +150°C |
| Диапазон высокого порога тревоги | 0–4092 LSB |
| Диапазон опорного напряжения (VREF) | 2,0–3,0 В (типично 2,5 ± 0,1 В) |
| Тепловое сопротивление (VQFN) RθJC(bot) | 5,7 °C/W |
| Тепловое сопротивление (VQFN) RθJC(top) | 32,1 °C/W |
| Логический уровень VOH @ Isource = 200 мкА | +VBD – 0,2 В |
| DNL (Дифференциальная нелинейность) | ±0,75 LSB типич. (макс ±1,5 LSB) |
| Временная разрешающая способность | 12 бит |
| Ошибка коэффициента усиления (Range 1) | ±0,2 LSB типич. (макс ±2 LSB) |
| Ошибка коэффициента усиления (Range 2) | ±0,2 LSB типич. |
| Диапазон питания цифровой части (+VBD) | 1,7 В до +VA (макс 5,25 В) |
| Максимальная частота дискретизации | 1 МГц |
| Восстановление после перенапряжения | 150 нс |
| Максимальная пропускная способность | 1 МГц |
| Полная невырегулированная ошибка (TUE) | ±2 LSB макс |
| Температурный диапазон эксплуатации | –40°C до +125°C |
| Ток в режиме энергосбережения (Power-down) | ≤1 мкА |
| Диапазон питания аналоговой части (+VA) | 2,7–5,25 В (номинально 3,3 или 5,0 В) |
| Максимальная температура кристалла (Tj Max) | 150°C |
| Сопротивление входа опорного напряжения | 100 кОм @ 1 МГц |
| THD (Полное гармоническое искажение) @ 100 кГц | –82 дБ типич. |
| Типовое потребление при +VA = 5 В, +VBD = 3 В, 1 МГц | 14,5 мВт |
| Количество программируемых пороговых уровней | 2 на канал |
| Потребление цифрового питания @ +VA = 5,25 В, fs = 1 МГц | 1 мА типич. |
| Потребление в статическом состоянии @ +VA = 2,7–3,6 В | 1,05 мА типич. |
| Потребление в статическом состоянии @ +VA = 4,7–5,25 В | 1,1–1,5 мА |
| Коэффициент полезного действия без пропусков кодов | 12 бит |
| Потребление тока нормального режима @ +VA = 2,7–3,6 В, 1 МГц | 1,8 мА типич. |
| Потребление тока нормального режима @ +VA = 4,7–5,25 В, 1 МГц | 2,3 мА типич. (макс 3,0 мА) |
| Некорректные преобразования после включения или сброса | 1 преобразование |
Предлагаем Texas Instruments ADS7953SRHBT, 12-разрядный 16-канальный АЦП SAR 1 МГц, микромощный на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
