| Корпус | DIP-20 PDIP (Plastic Dual Inline Package) |
| ESD-защита | 800V (Human Body Model) |
| Интерфейс | Параллельный, 8-разрядный, TTL/CMOS совместимый |
ЦАП на базе R-2R резисторной лестницы (silicon-chromium) с архитектурой, совместимой с микропроцессорами 8085/8080/Z80.
Устройство выполнено по CMOS-технологии с двойной буферизацией входных данных.
Дифференциальный ток-выходной интерфейс (IOUT1, IOUT2) с внутренним резистором обратной связи (~15 kΩ) обеспечивает простую интеграцию с операционными усилителями.
Характеристики: разрешение 8 бит, ошибка линейности ±0.2% FSR (0–70°C), время установления 1 мкс, питание 5–15 VDC.
Устройство поддерживает 4-квадрантное умножение с внешним опорным сигналом (±10 V), низкое энергопотребление 20 мВт, напряжение логических входов совместимо с TTL/CMOS.
Корпус PDIP-20 (пластиковый), рабочая температура 0–+70°C.
| Корпус | DIP-20 PDIP (Plastic Dual Inline Package) |
| ESD-защита | 800V (Human Body Model) |
| Интерфейс | Параллельный, 8-разрядный, TTL/CMOS совместимый |
| Разрешение | 8 бит (256 уровней) |
| Архитектура | R-2R резисторная лестница (silicon-chromium) |
| Буферизация | Двойная (double-buffered), single-buffered или flow-through |
| Монотонность | 8 бит |
| Режимы работы | Микропроцессорный интерфейс, stand-alone, voltage switching |
| Совместимость | Микропроцессоры 8080, 8085, 8048, Z80 |
| Размер — длина | 26.073 mm |
| Темпко усиления | 0.0002% FS/°C |
| Pin-совместимость | Pin-compatible с 12-bit DAC1230 series |
| Напряжение на VREF | ±10V (4-quadrant multiplying) |
| Размер — толщина | 3.302 mm |
| Ток утечки IOUT1/IOUT2 | 50 nA (typ), 100 nA (max) |
| Обратная связь (Rfb) | ~15 kΩ интегрированный резистор |
| Количество выводов | 20 |
| Размер — шаг выводов | 2.54 mm |
| Время установления тока | 1.0 μs (0 to full scale) |
| Потребление тока (типич.) | 1.7 mA при 5–15V |
| Входное сопротивление VREF | 10–20 kΩ |
| Время удержания данных (tDH) | 30–50 ns |
| Время установки данных (tDS) | 320–900 ns |
| Ошибка усиления (максимум) | ±1% FS |
| Потребление тока (максимум) | 2.0 mA при 5–15V |
| Размер — максимальная высота | 5.08 mm |
| Минимальная ширина импульса WR | 320–900 ns (VCC 5–15V) |
| Напряжение на цифровых входах | VCC до GND |
| Ошибка линейности (макс, 0–70°C) | ±0.2% FSR |
| Время удержания управления (tCH) | 0–10 ns |
| Время установки управления (tCS) | 320–1100 ns |
| Рабочая температура (LCN версия) | 0°C до +70°C |
| Рассеивание мощности (типичное) | 20 mW |
| Дифференциальная нелинейность (макс) | ±0.4% FSR |
| Напряжение питания Vcc (рекомендуемое) | 5–15 VDC (±5%), оптимум 15V |
| Напряжение питания Vcc (абсолютный минимум) | 4.75V |
| Напряжение питания Vcc (абсолютный максимум) | 15.75V |
| Рассеивание мощности (абсолютный максимум) | 500 mW |
Предлагаем Texas Instruments DAC0832LCN/NOPB, 8-разрядный ЦАП на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
