| THD | -65 дБ |
| SFDR | 65 дБ |
| ESD (CDM) | ±500 В |
Низкопотребляющий 10-разрядный одноканальный цифро-аналоговый преобразователь напряжения с микропотреблением 80 мкА при 2,0 В.
Микросхема обладает встроенным буферным усилителем с полнодиапазонным выходом (0...AVDD) и поддерживает трёхпроводный последовательный интерфейс со скоростью до 50 МГц.
Монотонная по конструкции архитектура резисторной сетки обеспечивает превосходную линейность ±0,5 LSB.
Используется в портативных аккумуляторных приборах и промышленной автоматизации.
| THD | -65 дБ |
| SFDR | 65 дБ |
| ESD (CDM) | ±500 В |
| ESD (HBM) | ±1000 В |
| Корпус | SC70 (SOT-23, 6 выводов) |
| Power-on reset | Сброс на нулевую шкалу (0 В) |
| SYNC interrupt | Поддерживается |
| Интерфейс | SPI, QSPI, Microwire, DSP совместимый |
| Тип выхода | Напряжение (0 В до AVDD) |
| Распиновка | 1-SYNC, 2-SCLK, 3-DIN, 4-AVDD/VREF, 5-GND, 6-VOUT |
| Power-down режим | 0,1 мкА (при 2,0 В) |
| Архитектура | Резисторная сетка (String DAC) с буферным усилителем |
| Разрядность | 10 бит |
| Формат данных | Straight binary |
| Размер корпуса | 2,0 мм × 1,5 мм |
| Ошибка усиления | ±0,15 % FSR (максимум) |
| Количество выводов | 6 |
| Ошибка полной шкалы | 0,04...0,2 % FSR |
| SNR (при AVDD 5 В, fOUT 1 кГц) | 81 дБ |
| Скорость нарастания | 0,7 В/мкс |
| Ошибка нулевого кода | 0,2 мВ |
| Температура хранения | -65...+150 °C |
| Дрейф ошибки смещения | 3 мкВ/°C |
| Гарантия монотонности | Да |
| Ошибка смещения (offset error) | ±4 мВ (максимум) |
| DC выходное сопротивление | 0,5 Ом |
| Микропотребление при 2,0 В | 80 мкА |
| Относительная точность (INL) | ±0,5 LSB (максимум) |
| Диапазон рабочих температур | -40...+125 °C |
| Тепловое сопротивление (θJA, SC70) | 216,4 °C/W |
| Время установления (1/4...3/4 шкалы) | 6...10 мкс |
| Диапазон напряжения питания (AVDD) | 2,0...5,5 В |
| Максимальный выходной ток (AVDD 5 В) | 50 мА (режим короткого замыкания) |
| Напряжение на цифровом входе к GND | -0,3...+(AVDD + 0,3) В |
| Тепловое сопротивление платы (θJB) | 65,9 °C/W |
| Дифференциальная нелинейность (DNL) | ±0,5 LSB (максимум) |
| Емкостная нагрузка (макс, при RL=2 кОм) | 1000 пФ |
| Максимальная температура кристалла (Tj) | 150 °C |
| Ток потребления (режим power-down, AVDD 2,0...2,7 В) | 0,1...2 мкА |
| Максимальное напряжение на выводе (AVDD к GND) | -0,3...+6 В |
| Температурный коэффициент усиления (AVDD 5 В) | ±0,5 ppm/°C |
| Тепловое сопротивление корпуса (θJC, верхняя) | 52,1 °C/W |
| Ток потребления (нормальный режим, AVDD 3,6...5,5 В) | 110...180 мкА |
| Потребляемая мощность (нормальный режим, AVDD 3,6...5,5 В) | 0,55...0,99 мВт |
| Частота последовательного тактового сигнала (макс, AVDD 3,6...5,5 В) | 50 МГц |
Предлагаем Texas Instruments DAC6311IDCKR, 10-разрядный одноканальный ЦАП на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
