| SINAD | 76 дБ |
| Корпус | VSSOP (DGK), 8 выводов |
| КПД (IOUT/IDD) | 89% (при ILOAD=2 мА, VDD=5 В) |
Квалифицированный для автомобильных приложений по стандарту AEC-Q100 Grade 1 (-40°C до +125°C).
Микросхема обеспечивает минимальный импульс сбоев 0.1 нВ·с и время установления 8 мкс до точности ±0.003% от диапазона.
Питание 3-5.5 В, микромощная работа (160 мкА при 5 В), подходит для снижения потребления благодаря режимам power-down (800 нА).
Встроенный выходной буферный усилитель обеспечивает работу от рельса к рельсу (0 до VREF).
Трёхпроводной цифровой интерфейс поддерживает SPI, QSPI, Microwire, совместим с цифровыми сигнальными процессорами, частота тактовых сигналов до 30 МГц.
Корпус VSSOP-8 с чипом 3.0×3.0 мм обеспечивает компактность для радаров и датчиков.
Превосходная линейность с относительной точностью ±4 LSB (типично).
| SINAD | 76 дБ |
| Корпус | VSSOP (DGK), 8 выводов |
| КПД (IOUT/IDD) | 89% (при ILOAD=2 мА, VDD=5 В) |
| Разрядность | 16 бит |
| Квалификация | AEC-Q100 Grade 1 для автомобильных приложений |
| Режимы работы | Нормальный, Power-down (3 варианта: 1 кОм к GND, 100 кОм к GND, High-Z) |
| Размер корпуса | 3.0 × 3.0 мм |
| Ошибка смещения | ±1 мВ (типично), ±15 мВ (макс) |
| Ток входа логики | ±1 мкА |
| ESD CDM классификация | Level C4B (±500 В все пины, ±750 В угловые пины) |
| ESD HBM классификация | Level 2 (±2000 В по AEC-Q100-002) |
| Давление на выводы | Carrier, 2500 шт, Large T&R |
| Ток опорного входа | 50 мкА (при VDD=VREF=5.5 В), 25 мкА (при VDD=VREF=3.6 В) |
| Время установления | 8 мкс до ±0.003% FSR (при нулевой ёмкости нагрузки) |
| Цифровой интерфейс | 3-проводной (SYNC, SCLK, DIN), совместим с SPI, QSPI, Microwire, DSP |
| Ошибка полной шкалы | ±0.05% FSR (типично), ±0.5% FSR (макс) |
| Скорость нарастания | 1.4 В/мкс |
| Опорное напряжение VDD | 3 ÷ 5.5 В |
| Температура хранения | -65 до +150°C |
| Ёмкость входного пина | 3 пФ |
| Минимальный период SCLK | 33 нс (при VDD≥3.6 В), 40 нс (при VDD<3.6 В) |
| Время удержания данных | 5 нс |
| Время установки данных | 5 нс |
| Импульс глитча (code-to-code) | 0.1 нВ·с |
| Отношение сигнал-шум (SNR) | 84 дБ (BW=20 кГц) |
| Обратная связь усилителя | VFB пин для внешнего соединения |
| Минимальное напряжение VFB | -0.3 В |
| Минимальное напряжение VOUT | -0.3 В |
| Максимальное напряжение VFB | VDD + 0.3 В |
| Относительная точность (INL) | ±4 LSB (типично), ±16 LSB (макс) |
| Кодирование входных данных | Прямой двоичный код |
| Максимальное напряжение VOUT | VDD + 0.3 В |
| Температура перехода (макс) | 150°C |
| Тепловое сопротивление (VSSOP) | 173.7°C/W (junction-to-ambient) |
| Входное сопротивление опоры | 125 кОм |
| Выходной буферный усилитель | Rail-to-rail, встроенный |
| Полное сопротивление выхода | 1 Ω (при коде половины шкалы) |
| Потребление мощности (power-down) | <4 мкВт |
| Подавление помех питания (PSRR) | 0.75 мВ/В (при RL=2 кОм, CL=200 пФ) |
| Входное напряжение логики (LOW) | 0.3×VDD |
| Ошибка коэффициента передачи | ±0.02% FSR (типично), ±0.2% FSR (макс) |
| Время восстановления из power-down | 2.5 мкс (при VDD=5 В), 5 мкс (при VDD=3.3 В) |
| Входное напряжение логики (HIGH) | 0.7×VDD |
| Дрейф смещения по температуре | ±5 мкВ/°C |
| Диапазон выходного напряжения | 0 ÷ VREF (rail-to-rail) |
| Потребление тока (power-down режимы) | 800 нА (типично) при 5 В, 500 нА при 3 В - 3.6 В |
| Минимальное опорное напряжение | -0.3 В |
| Ширина входного регистра сдвига | 24 бита (6 not-care + 2 управляющих + 16 данных) |
| Максимальное опорное напряжение | VDD + 0.3 В |
| Стабильность ёмкостной нагрузки | 470 пФ (RL=∞), 1000 пФ (RL=2 кОм) |
| Дифференциальная нелинейность (DNL) | ±0.35 LSB (типично), ±2 LSB (макс) |
| Максимальный короткозамкнутый ток | 35 мА |
| Полное гармоническое искажение (THD) | -80 дБ |
| Потребление тока (нормальный режим) | 160 мкА (типично) при 5 В (без учёта тока опоры) |
| Динамический диапазон без помех (SFDR) | 84 дБ |
| Температурный коэффициент усиления | ±1 ppm FSR/°C |
| Тепловое сопротивление корпус-плата | 94.2°C/W |
| Абсолютное минимальное напряжение VDD | -0.3 В |
| Минимальное время высокого уровня SYNC | 33 нс (при VDD≥3.6 В), 50 нс (при VDD<3.6 В) |
| Абсолютное максимальное напряжение VDD | 6 В |
| Температурный диапазон (эксплуатация) | -40 до +125°C (Grade 1) |
| Диапазон входного опорного напряжения | 0 ÷ VDD |
| Потребление мощности (нормальный режим) | 800 мкВт при 5 В |
| Минимальное цифровое входное напряжение | -0.3 В |
| Максимальное цифровое входное напряжение | VDD + 0.3 В |
| Тепловое сопротивление корпус-переход (top) | 65.4°C/W |
| Максимальная частота серийного тактового сигнала | 30 МГц (при VDD=3.6-5.5 В), 25 МГц (при VDD=3-3.6 В) |
| Потребление тока (нормальный режим, низкое напряжение) | 110 мкА (типично) при 3 В - 3.6 В |
Предлагаем Texas Instruments DAC8551AQDGKRQ1, 16-разрядный ЦАП на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
