| SINAD | 84 дБ |
| Корпус | TSSOP-16 (Thin Shrink Small Outline Package) |
| КПД (Efficiency) | 89% (при IL=2 мА, AVDD=5 В) |
Микросхема использует архитектуру на базе резистивной цепи с встроенным операционным усилителем, обеспечивающим полнодиапазонный выходной сигнал (Rail-to-Rail) в диапазоне питания 2,7–5,5 В.
Особенностью устройства является низкий импульсный шум на выходе (0,15 нВ·с), точность 4 LSB, и низкое потребление (150 мкА на канал при 2,7 В).
Интерфейс реализован на стандарте SPI/DSP.
Устройство содержит встроенную схему сброса при включении в ноль и механизм независимого отключения каждого канала с несколькими режимами (высокое сопротивление, 1 кОм, 100 кОм).
Предназначен для мобильных приборов, систем управления, сбора данных и программируемых средств ослабления сигнала.
| SINAD | 84 дБ |
| Корпус | TSSOP-16 (Thin Shrink Small Outline Package) |
| КПД (Efficiency) | 89% (при IL=2 мА, AVDD=5 В) |
| Режим Broadcast | Одновременное обновление 16 каналов (4 микросхемы × 4 канала) |
| Архитектура | Резистивная цепь (String DAC) с буферным усилителем на выходе |
| Разрядность | 16 бит |
| Режимы Power-Down | Высокое сопротивление (Hi-Z), 1 кОм±20%, 100 кОм±20%, Hi-Z (повторный) |
| Тип упаковки | Tape & Reel (лента и катушка) |
| Монотонность | 16-разрядная монотонность в диапазоне температур |
| Размер корпуса | 4,4 мм × 5,1 мм × макс. 1,175 мм |
| Режимы адресации | 4 отдельных устройства на одной SPI шине (благодаря адресным контактам A0, A1) |
| Диапазон хранения | -65 до +150 °C |
| Количество каналов | 4 |
| Серийный интерфейс | SPI совместимый, 3-проводной (SYNC, SCLK, DIN) |
| Ошибка полной шкалы | ±0,3% FSR (тип.), ±0,5% FSR (макс.) |
| Сброс при включении | Все выходы устанавливаются в нуль (0 В) при подаче питания |
| Обозначение корпуса | PW |
| Скорость нарастания | 1,8 В/мкс |
| Количество контактов | 16 |
| Количество в упаковке | 2000 шт. |
| Время цикла SCLK (2,7–3,6 В) | 40 нс |
| Время цикла SCLK (3,6–5,5 В) | 20 нс |
| Минимальное время SYNC HIGH | 20 нс (при 3,6–5,5 В), 40 нс (при 2,7–3,6 В) |
| Мощность в режиме Power-Down | 4 мкВт |
| Совместимость с логикой | CMOS логика 1,8–5,5 В (с буферизацией уровня IOVDD) |
| Ошибка нулевого масштаба | ±2 мВ (тип.), ±12 мВ (макс.) |
| Ёмкость логического входа | 3 пФ |
| Коэффициент сигнал-шум (SNR) | 95 дБ |
| Относительная точность (INL) | ±4 LSB (тип.), ±12 LSB (макс.) |
| Питание цифровой части (IOVDD) | 1,8–5,5 В |
| Ширина сдвигового регистра | 24 бита (8 бит управления + 16 бит данных) |
| Короткозамкнутый ток (AVDD=3 В) | 20 мА |
| Короткозамкнутый ток (AVDD=5 В) | 50 мА |
| Диапазон рабочих температур | -40 до +105 °C |
| Питание аналоговой части (AVDD) | 2,7–5,5 В |
| Ошибка коэффициента усиления | ±0,05% FSR (тип.), ±0,15% FSR (макс.) |
| Время установления (до ±0,003% FSR) | 8–10 мкс (при CL=200 пФ), 12 мкс (при CL=500 пФ) |
| Диапазон выходного напряжения | 0–VREFH В (Rail-to-Rail) |
| Дрейф ошибки нулевого масштаба | ±5 мкВ/°C |
| Максимальная ёмкостная нагрузка | 1000 пФ |
| Максимальное напряжение выходов | -0,3 до (AVDD+0,3) В |
| Стабильность ёмкостной нагрузки | Стабилен при нагрузке до 1000 пФ |
| Импульсный шум на выходе (Glitch Energy) | 0,15 нВ·с |
| Минимальная резистивная нагрузка | 2 кОм (параллельно с 1000 пФ) |
| Дифференциальная нелинейность (DNL) | ±0,25 LSB (тип.), ±1 LSB (макс.) |
| Паразитная связь постоянного тока | 0,25 LSB |
| Время выхода из режима Power-Down (AVDD=3 В) | 5 мкс |
| Время выхода из режима Power-Down (AVDD=5 В) | 2,5 мкс |
| Полное гармоническое искажение (THD) | -85 дБ |
| Функция одновременного обновления | Программное (через SPI) и аппаратное (через LDAC) |
| Коэффициент подавления питания (PSRR) | 0,75 мВ/В |
| Мощность при 5 В (все каналы активны) | 4,25 мВт |
| Температурный коэффициент усиления | ±1 ppm/°C |
| Потребление в режиме Power-Down (AVDD=2,7–3,6 В) | 0,4–2 мкА |
| Потребление в режиме Power-Down (AVDD=3,6–5,5 В) | 0,7–2 мкА |
| Максимальная частота SCLK (IOVDD=AVDD=2,7–3,6 В) | 25 МГц |
| Максимальная частота SCLK (IOVDD=AVDD=3,6–5,5 В) | 50 МГц |
| Потребление тока одного канала при 2,7 В | 150 мкА |
| Паразитная связь переменного тока (1 кГц) | -100 дБ (тип.) |
| Выходное сопротивление постоянного тока | 1 Ом (в точке среднего масштаба) |
| Максимальная температура переходов (Tj max) | 150 °C |
| Максимальное напряжение цифровых входов | -0,3 до (AVDD+0,3) В |
| Тепловое сопротивление корпус-воздух (θJA) | 118 °C/Вт |
| Тепловое сопротивление корпус-переход (θJC) | 29 °C/Вт |
| Максимальное напряжение AVDD относительно GND | -0,3 до +6 В |
| Входное сопротивление эталонного напряжения | 31 кОм |
| Напряжение логического входа LOW (VIL, IOVDD=2,7–5,5 В) | 0–0,3·IOVDD В |
| Потребление тока (нормальный режим, AVDD=2,7–3,6 В) | 0,6–0,9 мА |
| Потребление тока (нормальный режим, AVDD=3,6–5,5 В) | 0,65–0,95 мА |
| Напряжение логического входа HIGH (VIH, IOVDD=2,7–5,5 В) | 0,7·IOVDD–IOVDD В |
| Ток входа положительного эталона (при VREFH=AVDD=3 В) | 120–200 мкА |
| Ток входа положительного эталона (при VREFH=AVDD=5 В) | 180–250 мкА |
| Динамический диапазон без связанных гармоник (SFDR) | 87 дБ |
| Цифровой шум на выходе (при смене соседних каналов) | 0,15 LSB |
| Защита от электростатического разряда (ESD) — Human Body Model | 1500 В |
| Защита от электростатического разряда (ESD) — Charged Device Model | 1000 В |
| Минимальное время от 24-го фронта SCLK до следующего фронта SYNC | 130 нс |
Предлагаем Texas Instruments DAC8554IPWR, 4-канальный 16-разрядный ЦАП на выгодных условиях с полной технической поддержкой. Проверим наличие, поможем подобрать аналог.
Получить коммерческое предложение или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
