Micron Technology

Micron Technology (США) — крупнейший производитель микросхем и модулей памяти для вычислительных, телекоммуникационных и других приложений. 

Продукцию Micron отличает высокая надежность, что позволяет использовать ее в изделиях авиакосмической, индустриальной и оборонной промышленности. Ряд микросхем имеет расширенный диапазон рабочих температур от -40 °С до +105 °С.

Сайт производителя
Задать вопрос инженеру
8 800 301 96-04
ОСНОВНАЯ ПРОДУКЦИЯ

DRАM-память

  • Объем: 16 МБ – 16 Гб
  • Uп: от 1.2 до 3.3 В
  • DDR4 - новейшее исполнение DRAM: объем: 4 Гб; частота: 2133 МГц; Uп: 1.2 В; время цикла: 0.938 нс

DRAM-модули

  • Объем: 32 М – 64 Гб
  • RDIMM: объем: 128 МБ – 32 Гб; Uп: 1.35 - 3.3 В; T: 0 - 95°C; эффективная скорость до 1866 MT
  • LRDIMM: тип памяти: DDR3 SDRAM; объем: 8 - 64 Гб; частота до 233 МГц; T: 0 - 95°C; эффективная скорость до 1866 MT
  • NVDIMM (Non-Volative DIMM): объем: 4 – 16 Гб; комбинирует модуль памяти SDRAM, NANDFlash, системный контроллер и ультра компактный источник бесперебойного питания NAND-флеш память
  • Типы памяти: SLC NAND, MLC NAND, TLC NAND, Serial NAND-Flash
  • Объем: 128 МБ – 1 ТБ.

NOR-флеш память

  • Типы памяти: Parallel NOR-Flash, Serial NOR-Flash
  • Объем: 512 кБ – 1 Гб.

Память типа PCM (Phase Change Memory)

  • Типы памяти: Serial PCM, Parallel PCM
  • Объем: 32 МБ – 128 МБ.

Твердотельные накопители SSD

  • PCIe SSD: объем: 175 ГБ - 1.4 ТБ; интерфейс PCIe; скорость последовательного чтения до 3,2 ГБ/с; T: 0 - 70°C
  • 1.8 SSD, 2,5 SSD, M.2, mSATA: объем: 32 – 960 ГБ; скорость чтения до 500 Мб/c; скорость записи до 400 МБ/c; T: 0 - 70°C
Сферы применения

  • Телекоммуникационное оборудование
  • Медицинское оборудование
  • Космическое и авиационное оборудование
  • Высокоскоростной сбор данных

Производители аналогичных товаров