Усилитель OMMIC — CGY2133UH/C1
Усилитель мощности CGY2133UHC1
Усилитель мощности CGY2133UHC1 разработан на основе технологии арсенид-галиевых псведоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT GaAs). Архитектура CGY2132UHC1 представляет собой трехкаскадную параллельную структуру с примением ответвителей Ланге для суммирования мощностей, а также имеет превосходно согласованные на 50 Ом входы и выходы схемы.
Микроволновая МИС CGY2132UHC1 произведена по собственному технологическому процессу D01PH компании OMMIC, отмеченному Европейским космическим агентством, и внесенному в Европейский список предпочтительных компонентов (EPPL). Данная технология обеспечивает длину завтора транхистора 130 нм.
Высоконадёжный процесс D01PH применим для производства усилителей мощности, используемых как в аэрокосмической отрасли, так и в высокопроизводительных наземных системах.
Уточнить наличие интересующей Вас товарной позиции можно по телефону: 8 800 301-96-04 (по будним дням с 9:30 до 18:00 по московскому времени). E-mail: info@fregat.ru
Усилитель OMMIC — CGY2133UH/C1 - уточнить наличие, купить или заказать аналог вы можете в нашей компании. Мы предлагаем наиболее выгодные условия поставки и полную техническую поддержку.
Получить информацию или оформить заказ:
8 800 301-96-04 info@fregat.ru
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца!
Частотный диапазон (ГГц) | 39-44 |
Выходная мощность P1dB (дБм) | 26.5 |
Коэффициент усиления (дБ) | 20 |
Выходная мощность насыщения(дБм) | 30 |
Напряжение смещения (В) | 4.5 |
Ток смещения (мА) | 1330 |
КПД | 14 % |
OIP3 (дБм) | 36 |
IMD3 (дБн) | -44 |
Возвратные потери вх. (дБ) | -10 |
Возвратные потери вых. (дБ) | -15 |
Корпус | Кристалл |
Размер (мм) | 3,86 х 2,88 х 0,1 |